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2SA1063

更新时间: 2024-01-09 08:50:47
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锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA1063 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):80 W表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:2 V

2SA1063 数据手册

 浏览型号2SA1063的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1063的Datasheet PDF文件第2页 
Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA1063  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm)  
3

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