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2SA1062

更新时间： 2024-02-17 22:39:54

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	139K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1062 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SA1062 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1062

DESCRIPTION

With TO-3PN package

·Complement to type 2SC2486

·High collector power dissipation

APPLICATIONS

·High power audio frequency amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-7

I_CM

-12

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

T_stg

-55~150

ꢀ

12 3

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