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2SA1060R

更新时间： 2024-01-28 21:34:16

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无锡固电 - ISC		/
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3页	119K
描述
Transistor

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2SA1060R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1060R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1060

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SC2484

·High collector power dissipation

APPLICATIONS

·High power audio frequency amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-6

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-5

I_CM

-8

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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