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2SA1034T PDF预览

2SA1034T

更新时间： 2024-02-26 16:06:49
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB

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2SA1034T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

2SA1034T 数据手册

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Transistor  
2SA1034, 2SA1035  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency and low-noise amplification  
Complementary to 2SC2405 and 2SC2406  
Unit: mm  
Features  
Low noise voltage NV.  
High foward current transfer ratio hFE  
■
2.8 +–00..32  
1.5 +–00..0255  
●
0.65±0.15  
0.65±0.15  
●
.
●
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
2SA1034  
Symbol  
Ratings  
–35  
Unit  
Collector to  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
2SA1035  
2SA1034  
2SA1035  
–55  
0.1 to 0.3  
–35  
0.4±0.2  
VCEO  
V
emitter voltage  
–55  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
–5  
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
–100  
–50  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
Mini Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
(2SA1034)  
(2SA1035)  
Marking symbol : F  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
H
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
VCB = –10V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –10V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SA1034  
2SA1035  
2SA1034  
2SA1035  
–35  
–55  
–35  
–55  
–5  
VCBO  
IC = –10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter  
voltage  
VCEO  
VEBO  
IC = –2mA, IB = 0  
V
V
Emitter to base voltage  
IE = –10µA, IC = 0  
*1  
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –5V, IC = –2mA  
180  
700  
– 0.6  
–1.0  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –100mA, IB = –10mA*2  
VCE = –1V, IC = –100mA*2  
VCB = –5V, IE = 2mA, f = 200MHz  
VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
– 0.7  
200  
V
V
Base to emitter voltage  
Transition frequency  
VBE  
fT  
MHz  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*2 Pulse measurement  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
180 ~ 360  
FR  
260 ~ 520  
FS  
360 ~ 700  
FT  
2SA1034  
2SA1035  
Marking  
Symbol  
HR  
HS  
HT  
1
1234

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与2SA1034T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1034TMG PANASONIC Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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