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2SA1036

更新时间： 2024-01-17 23:59:28

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SECOS		晶体晶体管
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2页	231K
描述
PNP Silicon General Purpose Transistor

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2SA1036 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1036 数据手册

2SA1036

PNP Silicon

Elektronische Bauelemente

General Purpose Transistor

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

SOT-23

Min

Dim

Max

Collector

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

FEATURES

Base

. Large IC, IC MAX.=-500mA

Top View

. Low VCE(Sat), Ideal for low-voltage operation

Emitter

. Small Package.

. RoHS Compliant Product

All Dimension in mm

A=25℃ )

(MAXIMUM RATINGS* T

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-40

-32

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current -Continuous

Total Device Dissipation

-500

150

℃

P_D

T_J, T_stg

Junction and Storage Temperature

-55~125

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

-40

-32

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOIc=-100u A,I_E=0

V_(BR)CEOIc=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-100 u A,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=-20V,I_E=0

-1

u A

Emitter cut-off current

V_EB=-4V,I_C=0

-1

DC current gain

V_CE=-3V,I_C=-10mA

I_C=-100mA,I_B=-10mA

V_CE=-5V,I_C=-20mA,f=100MHz

V_CB=-10V,I_E=0,f=1MHz

390

-0.4

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

Marking

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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