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Datasheet > 2SA1036/K-Q

2SA1036/K-Q PDF预览

2SA1036/K-Q

更新时间： 2022-02-26 11:32:36

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科信 - KEXIN		/
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2页	1249K
描述
PNP Transistors

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2SA1036/K-Q 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SA1036 ^(2SA1036K)

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

3

Features

Large IC. ICMax. = -500mA

Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation.

1

2

+0.02

-0.02

+0.1

-0.1

0.15

0.95

+0.1

-0.2

1.9

1. Base

2. Emitter

3. Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

Rating

-40

Unit

V

-32

V

-5

V

Collector current *

-0.5

A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

PC

0.2

W

Tj

150

Tstg

-55 to +150

* PC max. must not be exceeded.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

-40

-32

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= -100 μA， I

Ic= -1 mA， I =0

= -100μA， I

E=0

B

I

E

C=0

I

CBO

EBO

V

V

CB= -20 V , I

E

=0

-100

-100

-0.4

-1.2

390

nA

V

I

EB= -4V , IC=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=-100mA, I

B

B

=-1mA

=-1mA

V

C

=-100mA, I

h

FE

V

V

V

CE= -3V, I

CB= -10V, I

CE= -5V, I =- 20mA,f=100MHz

C= -10mA

82

Output capacitance

C

ob

T

E

= 0,f=1MHz

7

pF

Transition frequency

f

E

200

MHz

hFE Classification

Type

Range

Marking

2SA1036/K-P

82-180

2SA1036/K-Q

120-270

HQ

2SA1036/K-R

180-390

HR

HP

1

www.kexin.com.cn

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1036/K-Q-HF	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SA1036/K-R	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SA1036/K-R-HF	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SA1036_0712	BL Galaxy Electrical	Silicon Epitaxial Planar Transistor	获取价格
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