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2SA1020RLRAG

更新时间： 2024-01-03 23:11:52

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安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	146K
描述
1.0 W High Current PNP Bipolar Transistor

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2SA1020RLRAG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1020RLRAG 数据手册

2SA1020

−2.0

−1.8

−1.6

−1.4

−1.2

−1.0

−0.8

−0.6

−0.4

−0.2

250

225

T = 125°C

= −2.0 V

200

175

150

125

100

25°C

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

−55°C

@ V = 2.0 V

BE(on)

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

−10 −20

−50 −100 −200−500 −1.0 A −2.0 A −4.0 A

−50

−100

−200

−500 −1.0 A −2.0 A −4.0 A

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 1. Typical DC Current Gain

Figure 2. On Voltages

−1.0

−10

−0.9

−0.8

−0.7

−4.0

T = 25°C

100 ms

−2.0

−1.0

1.0 ms

−0.6

−0.5

−0.4

−0.3

−0.2

−0.1

−0.5

−0.2

−0.1

T = 25°C

= 25°C

= −500 mA

I = −2.0 A

−0.05

WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT

SECOND BREAKDOWN LIMIT

= −10 mA I = −100 mA

−0.02

−0.01

−0.05−0.1−0.2 −0.5−1.0−2.0 −5.0−10−20 −50−100−200 −500

−1.0

−2.0 −5.0 −10 −20

−50

−100

I , BASE CURRENT (mA)

, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 4. Safe Operating Area

Figure 3. Collector Saturation Region

http://onsemi.com

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