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2SA1020RLRAG

更新时间： 2024-01-03 06:00:46

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安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	146K
描述
1.0 W High Current PNP Bipolar Transistor

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2SA1020RLRAG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1020RLRAG 数据手册

2SA1020

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)

Vdc

mAdc

(BR)CEO

(I = 10 mAdc, I = 0)

−

Collector Cutoff Current

(V = 50 Vdc, I = 0)

CBO

−

1.0

Emitter Cutoff Current

(V = 5.0 V, I = 0)

EBO

ON CHARACTERISTICS (Note 2)

DC Current Gain

−

(I = 500 mA, V = 2.0 V)

240

−

(I = 1.5 A, V = 2.0 V)

Collector−Emitter Saturation Voltage

(I = 1.0 A, I = 50 mA)

Vdc

CE(sat)

−

0.5

1.2

Base−Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 A, I = 50 mA)

BE(sat)

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS

Current−Gain − Bandwidth Product (Note 3)

100

−

MHz

(I = 500 mAdc, V = 2.0 Vdc, f = 100 MHz)

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.

2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.

3. f is defined as the frequency at which |h | extrapolates to unity.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

2SA1020RLRAG

TO−92

(Pb−Free)

2000 / Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging

Specifications Brochure, BRD8011/D.

http://onsemi.com

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