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2SA0886(2SA886)

更新时间： 2022-01-19 20:54:00

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描述
2SA0886 (2SA886) - PNP Transistor

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2SA0886(2SA886) 数据手册

2SA0886

Power Transistors

P_C T_a

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

–4.0

–3.5

–3.0

–2.5

–2.0

–1.5

–1.0

–0.5

T_C=25˚C

I_B=–40mA

–35mA

(1)With a 100×100×2mm

Al heat sink

(2)Without heat sink

I_C/I_B=10

–10

–3

–1

–30mA

–25mA

(1)

–20mA

–15mA

–10mA

–0.3

–0.1

T_C=100˚C

25˚C

–25˚C

–5mA

(2)

–0.03

–0.01

20 40 60 80 100120140160180200

–2

–4

–6

–8

–10

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

–3

(

)

(

)

( )

Collector current I_CA

Ambient temperature T_a˚C

Collector to emitter voltage V_CE

V_BE(sat) I_C

h_FE I_C

f_T I_E

240

200

160

120

V_CB=–5V

f=200MHz

T_C=25˚C

I_C/I_B=10

V_CE=–5V

–10

1000

T_C=100˚C

25˚C

–3

–1

300

100

T_C=–25˚C

–25˚C

100˚C

25˚C

–0.3

–0.1

–0.03

–0.01

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

–3

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

–3

0.01 0.03

0.1 0.3

(

)

(

)

( )

Emitter current I_EA

Collector current I_C

C_ob V_CB

V_CER R_BE

I_CEO T_a

–60

–50

–40

–30

–20

–10

1000

V_CE=–12V

T_C=25˚C

I_E=0

f=1MHz

T_C=25˚C

140

120

100

300

100

–1

–3

–10

–30

–100

0.001

0.01

0.1

100 120

(

)

(

)

(

)

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

Ambient temperature T_a˚C

123 4

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