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2SA0684Q

更新时间: 2024-01-30 15:45:37
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其他 - ETC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR

2SA0684Q 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):170
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SA0684Q 数据手册

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Transistor  
2SA0683, 2SA0684  
ICEO Ta  
Area of safe operation (ASO)  
104  
10  
Single pulse  
VCE=10V  
Ta=25˚C  
3  
1  
ICP  
t=10ms  
103  
102  
10  
1
IC  
0.3  
0.1  
t=1s  
0.03  
0.01  
0.003  
0.001  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0.1 0.3  
1  
3  
10 30 100  
(
)
( )  
Collector to emitter voltage VCE V  
Ambient temperature Ta ˚C  
3

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