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2SA0684S

更新时间： 2024-01-06 23:06:48
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR

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2SA0684S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SA0684S 数据手册

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Transistor  
2SA0683, 2SA0684 (2SA683, 2SA684)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency power amplification and driver amplification  
Complementary to 2SC1383 and 2SC1384  
Unit: mm  
5.9 0.2  
4.9 0.2  
Features  
I
G
Complementary pair with 2SC1383 and 2SC1384.  
Allowing supply with the radial taping.  
G
0.7 0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
2.54 0.15  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SA0683  
2SA0684  
2SA0683  
–30  
–60  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–25  
VCEO  
V
0.45+–0.21  
0.45+–00..12  
emitter voltage 2SA0684  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–50  
1.27  
1.27  
VEBO  
ICP  
IC  
–5  
V
A
1:Emitter  
–1.5  
–1  
2:Collector  
3:Base  
1
2
3
A
EIAJ:SC–51  
TO–92L Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
Collector to base  
voltage  
VCB = –20V, IE = 0  
– 0.1  
µA  
2SA0683  
2SA0684  
2SA0683  
2SA0684  
–30  
–60  
–25  
–50  
–5  
VCBO  
IC = –10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter  
voltage  
VCEO  
VEBO  
IC = –2mA, IB = 0  
V
V
Emitter to base voltage  
IE = –10µA, IC = 0  
*
hFE1  
VCE = –10V, IC = –500mA  
VCE = –5V, IC = –1A  
85  
340  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
50  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –500mA, IB = –50mA  
IC = –500mA, IB = –50mA  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
– 0.2  
– 0.85  
200  
– 0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
30  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.  
1
1234

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