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2SA0719Q

更新时间： 2024-01-02 20:57:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 65K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR

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2SA0719Q 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SA0719Q 数据手册

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Transistor  
2SA0719, 2SA0720 (2SA719, 2SA720)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For low-frequency power amplification and driver amplification  
5.0±0.2  
4.0±0.2  
Complementary to 2SC1317 and 2SC1318  
■ Features  
• Complementary pair with 2SC1317 and 2SC1318.  
0.7±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−30  
Unit  
+0.15  
–0.1  
+0.15  
0.45  
0.45  
–0.1  
2SA0719  
2SA0720  
2SA0719  
2SA0720  
VCBO  
V
Collector to  
+0.6  
–0.2  
+0.6  
2.5  
–0.2  
2.5  
base voltage  
−60  
VCEO  
−25  
V
1: Emitter  
Collector to  
1
2 3  
2: Collector  
3: Base  
emitter voltage  
−50  
EIAJ: SC-43A  
TO-92-B1 Package  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
−5  
V
A
−1  
−500  
625  
mA  
mW  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
CB = −20 V, IE = 0  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
V
− 0.1  
2SA0719  
2SA0720  
2SA0719  
2SA0720  
VCBO  
I
C = −10 µA, IE = 0  
−30  
−60  
−25  
−50  
−5  
Collector to base  
voltage  
VCEO  
I
C = −10 mA, IB = 0  
V
V
Collector to emitter  
voltage  
Emitter to base voltage  
VEBO  
IE = −10 µA, IC = 0  
*
Forward current transfer ratio  
hFE1  
V
CE = −10 V, IC = −150 mA  
CE = −10 V, IC = −500 mA  
85  
340  
hFE2  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
40  
Collector to emitter saturation voltage  
Base to emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC = −300 mA, IB = −30 mA  
− 0.35 − 0.6  
V
V
IC = −300 mA, IB = −30 mA  
−1.1  
200  
6
−1.5  
V
CB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz  
CB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
V
15  
Note) : hFE1 Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE1  
85 to 170  
120 to 240  
170 to 340  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2002  
SJC00002BED  
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA0719R ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR

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2SA0720 PANASONIC For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary

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2SA0720(2SA720) ETC Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires

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