Datasheet > 2SA0719Q

2SA0719Q

更新时间： 2024-02-23 06:53:02

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	65K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA0719Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA0719Q 数据手册

2SA0719, 2SA0720

I_CEO

T_a

Area of safe operation (ASO)

10⁴

10³

10²

−10

Single pulse

V_CE= −10 V

T_a= 25°C

−3

−1

I_CP

I_C

t = 10 ms

t = 1 s

− 0.3

− 0.1

− 0.03

− 0.01

− 0.003

− 0.001

− 0.1 − 0.3 −1

−3

−10 −30 −100

120

160

200

( )

Collector to emitter voltage V_CE

(

)

Ambient temperature T_a°C

SJC00002BED

1 234

下载PDF

与2SA0719Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA0719R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA0719S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA0720	PANASONIC	For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary	获取价格
2SA0720(2SA720)	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格
2SA0720\|2SA720	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格
2SA0720A	PANASONIC	For low-frequency driver amplification Complementary	获取价格