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2SA0777Q

更新时间： 2024-01-14 03:25:24
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226VAR

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2SA0777Q 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SA0777Q 数据手册

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Transistor  
2SA0777 (2SA777)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency driver amplification  
Complementary to 2SC1509  
Unit: mm  
5.9 0.2  
4.9 0.2  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
I
G
.
G
Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W  
output amplifier.  
0.7 0.1  
2.54 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–80  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
V
–5  
V
0.45+–0.21  
0.45+–00..12  
1.27  
1.27  
–1  
A
1:Emitter  
IC  
– 0.5  
750  
A
2:Collector  
3:Base  
1
2
3
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
EIAJ:SC–51  
TO–92L Package  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCB = –20V, IE = 0  
– 0.1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–80  
–80  
–5  
IC = –100µA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = –10V, IC = –150mA  
VCE = –5V, IC = –500mA  
IC = –300mA, IB = –30mA  
IC = –300mA, IB = –30mA  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 100MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
220  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
50  
100  
– 0.2  
– 0.85  
120  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
11  
20  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
130 ~ 220  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA0777R ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226VAR

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2SA0794 PANASONIC Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA0794(2SA794) ETC Power Device - Power Transistors - Others

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2SA0794/2SA0794A(2SA794/2SA794A) ETC 2SA0794. 2SA0794A (2SA794. 2SA794A) - PNP Transistor

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