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2SA0684S

更新时间： 2024-01-11 03:38:42

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4页	73K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR

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2SA0684S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA0684S 数据手册

Transistor

2SA0683, 2SA0684

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–1.5

–1.25

–1

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

– 0.4

– 0.2

Ta=25˚C

V_CE=–10V

Ta=25˚C

I_B=–10mA

–9mA

–8mA

–7mA

–6mA

–5mA

– 0.75

– 0.5

– 0.25

–4mA

–3mA

–2mA

–1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–4

–6

–8

–10 –12

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

–100

–600

–500

–400

–300

–200

–100

I_C/I_B=10

V_CE=–10V

–30

–10

–30

–10

–3

–1

–3

–1

Ta=75˚C

Ta=–25˚C

75˚C

25˚C

Ta=75˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

– 0.3

– 0.1

–25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

V_CER— R_BE

200

180

160

140

120

100

–120

–100

–80

–60

–40

–20

V_CB=–10V

Ta=25˚C

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

I_C=–10mA

Ta=25˚C

2SA0684

2SA0683

–1

100

–3

–10

–30

–100

0.1

0.3

100

(

)

( )

(

)

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

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