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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7290R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7290R1 | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7290R3 | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7290R4 | RENESAS | 5A, 500V, 1.42ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7291 | RENESAS | 40A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7291D | RENESAS | 40A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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