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2N7292DTXV

更新时间: 2023-02-26 16:00:44
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

2N7292DTXV 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:RADIATION HARDENED, HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.07 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-MSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):75 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7292DTXV 数据手册

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