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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 81 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7293H | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293H1 | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293H2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-204AE |
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| 2N7293H3 | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293H4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-204AE |
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| 2N7293R | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293R1 | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293R2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-204AE |
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| 2N7293R3 | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7293R4 | RENESAS |
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27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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