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2N7294R1

更新时间: 2024-01-25 11:36:50
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页数 文件大小 规格书
4页 151K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-254AA

2N7294R1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.79其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A最大漏极电流 (ID):23 A
最大漏源导通电阻:0.115 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-254AAJESD-30 代码:S-MSFM-P3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):69 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7294R1 数据手册

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