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2N7294D3

更新时间: 2024-01-12 10:07:12
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4页 151K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-254AA

2N7294D3 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.79Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A
最大漏极电流 (ID):23 A最大漏源导通电阻:0.115 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-MSFM-P3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):69 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7294D3 数据手册

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