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2N7291R1

更新时间: 2024-02-08 13:53:16
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 154K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-204AE

2N7291R1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.055 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AEJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7291R1 数据手册

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