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2N7291H1

更新时间: 2024-01-04 22:37:54
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4页 154K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-204AE

2N7291H1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7291H1 数据手册

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