是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.65 |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-254AA | JESD-30 代码: | R-MSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 44 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 320 ns | 最大开启时间(吨): | 235 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7270D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2N7270U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2N7270UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2N7271 | RENESAS |
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14A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N7271D | RENESAS |
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14A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N7271D1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA | |
2N7271D2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA | |
2N7271D3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA | |
2N7271H | RENESAS |
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14A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N7271H1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |