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2N7261

更新时间: 2024-02-21 04:32:30
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美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 284K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

2N7261 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.64其他特性:RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas):130 mJ配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):98 ns最大开启时间(吨):105 ns
Base Number Matches:1

2N7261 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET  
Reference MIL-PRF-19500/601  
Figure 2: Case Outline and Pin Configuration for JANSR2N7261U & JANSF2N7261U  
T4-LDS-0119 Rev. 2 (101017)  
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