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2N7261

更新时间： 2024-02-25 23:55:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	284K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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2N7261 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	98 ns	最大开启时间（吨）：	105 ns
Base Number Matches：	1

2N7261 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET

Reference MIL-PRF-19500/601

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Gate Charge:

Q_g(on)

Q_gs

Q_gd

On-State Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

V_GS= 12V, I_D= 8.0A

V_DS= 50V

SWITCHING CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Max.

Unit

Switching time tests:

Turn-on delay time

Rinse time

Turn-off delay time

Fall time

I_D= 8.0A, V_GS= 12Vdc,

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Gate drive impedance = 7.5Ω,

V_DD= 50Vdc

di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ 30V,

I_F= 8.0A

Diode Reverse Recovery Time

t_rr

270

POST-IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTICS (3) (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA MSR

V_GS(th)1

2.0

1.25

4.0

4.5

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA MSF

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

±100

nAdc

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 80V MSR

I_DSS1

µAdc

Vdc

V_GS= 0V, V_DS= 80V MSF

Static Drain-Source On-State Voltage

V_GS= 12V, I_D= 5.0A pulsed MSR

V_DS(on)

0.9

1.2

V_GS= 12V, I_D= 5.0A pulsed MSF

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 8.0A pulsed

V_SD

1.5

Vdc

NOTE:

(3) Post-Irradiation Electrical Characteristics apply to devices subjected to Steady State Total Dose Irradiation testing in

accordance with MIL-STD-750 Method 1019. Separate samples are tested for VGS bias (12V), and VDS bias (80V)

conditions.

T4-LDS-0119 Rev. 2 (101017)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7261PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7261U	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7262	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-205AF	获取价格
2N7268	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2N7268U	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2N7268U	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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