2N7002VA

更新时间： 2024-02-01 09:15:05

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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2N7002VA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002VA 数据手册

Electrical Characteristics

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Condition

MIN

TYP

MAX

Units

Off Characteristics (Note1)

BV_DSS

I_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage V_GS= 0V, I_D=10uA

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS= 60V, V_GS= 0V

0.001

1.0

500

V_DS= 60V, V_GS= 0V, @T_C= 125°C

I_GSS

Gate-Body Leakage

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

0.2

±100

On Characteristics (Note1)

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= 250uA

1.0

1.76

2.5

R_DS(ON)

Satic Drain-Source On-Resistance V_GS= 5V, I_D= 0.05A,

1.6

2.53

7.5

13.5

Ω

V_GS= 10V, I_D= 0.5A, Tj = 125°C

I_D(ON)

g_FS

On-State Drain Current

V_GS= 10V, V_DS= 7.5V

0.5

1.43

Forward Transconductance

V_DS= 10V, I_D= 0.2A

356.5

Dynamic Characteristics

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

37.8

12.4

6.5

Output Capacitance

V_DS= 25V, V_GS= 0V, f = 1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

7.0

Switching Characteristics

t_D(ON)

Turn-On Delay Time

Turn-Off Delay Time

V_DD= 30V, I_D= 0.2A, V_GEN= 10V

R_L= 150Ω, R_GEN= 25Ω

5.85

12.5

t_D(OFF)

Note1 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

2N7002V/VA Rev. A

www.fairchildsemi.com

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