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2N7002L

更新时间： 2024-02-20 13:28:37
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, TO-236, 3 PIN

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2N7002L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.8 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002L 数据手册

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2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170  
Vishay Siliconix  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Single  
Total Quad  
VQ1000J/P  
VQ1000J VQ1000P  
Parameter  
Symbol  
2N7000  
60  
2N7002  
60  
BS170 Unit  
Drain-Source Voltage  
V
60  
"30  
"20  
0.225  
0.14  
1
60  
60  
DS  
Gate-Source Voltage—Non-Repetitive  
Gate-Source Voltage—Continuous  
V
"40  
"20  
0.2  
"40  
"20  
0.115  
0.073  
0.8  
"25  
"20  
0.5  
V
GSM  
V
"20  
0.225  
0.14  
1
GS  
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current  
I
D
(T = 150_C)  
0.13  
0.5  
0.175  
J
T = 100_C  
A
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
0.4  
0.2  
1.3  
1.3  
2
0.83  
156  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
A
0.16  
312.5  
0.08  
625  
0.52  
96  
0.52  
96  
0.8  
62.5  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_C/W  
_C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b.  
t v 50 ms.  
p
SPECIFICATIONSĊ2N7000 AND 2N7002 (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Limits  
2N7000  
2N7002  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Typa Min Max Min Max Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
V
V
V
= 0 V, I = 10 mA  
70  
2.1  
2.0  
60  
60  
1
(BR)DSS  
GS  
D
= V , I = 1 mA  
0.8  
3
V
DS  
GS D  
Gate-Threshold Voltage  
V
GS(th)  
V
= V , I = 0.25 mA  
2.5  
DS  
GS D  
V
V
= 0 V, V = "15 V  
"10  
DS  
DS  
GS  
Gate-Body Leakage  
I
nA  
GSS  
= 0 V, V = "20 V  
"100  
GS  
V
= 48 V, V = 0 V  
GS  
1
DS  
DS  
T
C
= 125_C  
= 125_C  
1000  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
mA  
DSS  
V
= 60 V, V = 0 V  
GS  
1
T
C
500  
V
= 10 V, V = 4.5 V  
0.35  
1
0.075  
DS  
DS  
GS  
GS  
b
On-State Drain Current  
I
A
D(on)  
V
= 7.5 V, V = 10 V  
0.5  
GS  
V
= 4.5 V, I = 0.075 A  
4.5  
3.2  
5.8  
2.4  
4.4  
5.3  
D
V
= 5 V, I = 0.05 A  
D
7.5  
13.5  
7.5  
GS  
GS  
b
T
C
= 125_C  
= 125_C  
Drain-Source On-Resistance  
r
W
DS(on)  
V
= 10 V, I = 0.5 A  
D
5
9
T
J
13.5  
b
Forward Transconductance  
g
fs  
V
V
= 10 V, I = 0.2 A  
100  
80  
DS  
DS  
D
mS  
b
Common Source Output Conductance  
g
os  
= 5 V, I = 0.05 A  
0.5  
D
Dynamic  
Input Capacitance  
C
C
22  
11  
2
60  
25  
5
50  
25  
5
iss  
V
= 25 V, V = 0 V  
GS  
f = 1 MHz  
DS  
Output Capacitance  
pF  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
C
rss  
Document Number: 70226  
S-04279—Rev. F, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-2  
123456

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