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2N7002K215

更新时间： 2022-05-20 00:49:21

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恩智浦 - NXP		/
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TrenchMOSâ¢ logic level FET

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2N7002K215 数据手册

2N7002K

TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

03aa34

03aa37

-1

2.4

GS(th)

(V)

typ

(A)

-2

1.8

1.2

0.6

-3

-4

-5

-6

min

typ

min

-60

120

180

0.6

1.2

1.8

2.4

T ( C)

(V)

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS

T_j= 25 °C; V_DS= 5 V

Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of

junction temperature.

Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of

gate-source voltage.

03aa46

(pF)

iss

oss

rss

-1

(V)

V_GS= 0 V; f = 1 MHz

Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.

9397 750 11703

Product data

Rev. 01 — 20 October 2003

7 of 12

1...4 5 678 9 10...12

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