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2N7002K-13

更新时间： 2024-01-21 05:47:04

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	239K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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2N7002K-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.38 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002K-13 数据手册

2N7002K

T_CH, CHANNEL TEMPERATURE (°C)

Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance

vs. Channel Temperature

I_D, DRAIN CURRENT (A)

Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current

DS(on)

Limited

Single Pulse

= 240



C/W

= r * R

JA



JA(t)

(t)

= 10s

- T = P * R

A JA(t)

0.1

= 1s

= 100ms

= 10ms

= 1ms

= 100µs

0.01

= 10µs

T_J(max)= 150°C

= 25°C

Single Pulse

0.001

0.0001 0.001 0.01

0.1

100 1,000

0.1

100

t1, PULSE DURATION TIME (sec)

Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Fig. 11 Safe Operation Area

4 of 6

www.diodes.com

August 2013

2N7002K

Document number: DS30896 Rev. 14 - 2

1 2 345 6

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