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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7000/D | ETC |
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Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts |
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| 2N7000/D10Z | TI |
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200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2N7000/D11Z | TI |
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200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
|
| 2N7000/D27Z | TI |
获取价格 |
200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2N7000/D29Z | TI |
获取价格 |
200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2N7000/D74Z | TI |
获取价格 |
200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2N7000/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-226AA |
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| 2N7000_07 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| 2N7000_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO- |
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| 2N7000_07 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS |
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