是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.09 | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (ID): | 5.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MILITARY STANDARD (USA) |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6760_1006 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6760PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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2N6760TX | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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2N6760TXV | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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2N6761 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V |
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2N6762 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V |
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