2N6549

更新时间： 2024-02-15 10:23:27

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Power Transistors

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2N6549 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	3000
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N6549 数据手册

Power Transistors

TO-202 Case

TYPE NO.

@ I

CBO

CEO

CE(SAT)

(V)

(A)

(W)

(V)

(mA)

(A)

(MHz)

NPN

PNP

MAX

2.0

1.0

MIN

MAX

2.0

1.0

0.7

0.5

1.5

MIN

100

2N6548

2N6549

2N6551

2N6552

2N6553

2.0

25,000 150,000 200

15,000 150,000 200

2.0

2N6554

2N6555

2N6556

2.0

300

- -

1.0

2.0

1.0

2.0

100

1.0

CEN-U01A CEN-U51A 2.0

1.75

1000

500

1.0

CEN-U05 CEN-U55

CEN-U06 CEN-U56

CEN-U07 CEN-U57

CEN-U10 CEN-U60

2.0

0.5

- -

0.25

0.02

- -

100

300

100

300

- -

CEN-U45 CEN-U95

2.0

1.75

25,000 150,000 200

1.0

0.20

100

Shaded areas indicate Darlington.

TO-202 devices are available with sheared tab (Case: TO-202-2).

Add “N” suffix to part number.

TO-202-2 Case

www.centralsemi.com

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