2N6553PBFREE

更新时间： 2024-11-19 13:04:07

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Power Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6553PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N6553PBFREE 数据手册

Power Transistors

TO-202 Case

TYPE NO.

@ I

CBO

CEO

CE(SAT)

(V)

(A)

(W)

(V)

(mA)

(A)

(MHz)

NPN

PNP

MAX

2.0

1.0

MIN

MAX

2.0

1.0

0.7

0.5

1.5

MIN

100

2N6548

2N6549

2N6551

2N6552

2N6553

2.0

25,000 150,000 200

15,000 150,000 200

2.0

2N6554

2N6555

2N6556

2.0

300

- -

1.0

2.0

1.0

2.0

100

1.0

CEN-U01A CEN-U51A 2.0

1.75

1000

500

1.0

CEN-U05 CEN-U55

CEN-U06 CEN-U56

CEN-U07 CEN-U57

CEN-U10 CEN-U60

2.0

0.5

- -

0.25

0.02

- -

100

300

100

300

- -

CEN-U45 CEN-U95

2.0

1.75

25,000 150,000 200

1.0

0.20

100

Shaded areas indicate Darlington.

TO-202 devices are available with sheared tab (Case: TO-202-2).

Add “N” suffix to part number.

TO-202-2 Case

www.centralsemi.com

中文翻译

下载PDF

与2N6553PBFREE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6554	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
2N6554	NJSEMI	获取价格	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
2N6554LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/
2N6554N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-202VAR
2N6555	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
2N6555	NJSEMI	获取价格	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
2N6555	TI	获取价格	1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
2N6555LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/
2N6555N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-202VAR
2N6555PBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述