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2N6553LEADFREE

更新时间: 2024-11-19 12:59:19
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页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2N6553LEADFREE 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.26Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):75 MHz
Base Number Matches:1

2N6553LEADFREE 数据手册

  
Power Transistors  
TO-202 Case  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
T
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(mA)  
(A)  
(MHz)  
NPN  
PNP  
MAX  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
MIN  
50  
MIN  
40  
MIN  
MAX  
MAX  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.7  
0.5  
0.5  
0.5  
1.5  
MIN  
100  
100  
75  
2N6548  
2N6549  
2N6551  
2N6552  
2N6553  
2.0  
2.0  
25,000 150,000 200  
15,000 150,000 200  
2.0  
2.0  
50  
40  
2N6554  
2N6555  
2N6556  
2.0  
60  
60  
80  
80  
80  
50  
20  
20  
20  
40  
300  
300  
300  
- -  
50  
50  
1.0  
2.0  
80  
80  
1.0  
75  
2.0  
100  
50  
100  
40  
50  
1.0  
75  
CEN-U01A CEN-U51A 2.0  
1.75  
1.75  
1.75  
1.75  
1.75  
1000  
500  
500  
500  
30  
1.0  
50  
CEN-U05 CEN-U55  
CEN-U06 CEN-U56  
CEN-U07 CEN-U57  
CEN-U10 CEN-U60  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
60  
60  
- -  
0.25  
0.25  
0.25  
0.02  
50  
80  
80  
- -  
50  
100  
300  
100  
300  
- -  
50  
- -  
60  
CEN-U45 CEN-U95  
2.0  
1.75  
50  
40  
25,000 150,000 200  
1.0  
0.20  
100  
Shaded areas indicate Darlington.  
TO-202 devices are available with sheared tab (Case: TO-202-2).  
Add “N” suffix to part number.  
TO-202-2 Case  
89  
www.centralsemi.com  

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