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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 3000 |
| JEDEC-95代码： | TO-202 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6549LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N6549N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
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| 2N6549PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N6549TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N655 | NJSEMI |
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GE PNP LO-PWR BJT |
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| 2N6550 | INTERFET |
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N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
|
| 2N6550 | NJSEMI |
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N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N6551 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N6551 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
| 2N6551N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR |
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