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2N6506

更新时间: 2024-01-21 18:19:17
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NJSEMI 栅极可控硅整流器LORA局域网
页数 文件大小 规格书
2页 204K
描述
THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

2N6506 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.74
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:15 µs
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:40 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:40 mA
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:25 A重复峰值关态漏电流最大值:10 µA
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N6506 数据手册

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