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2N6340

更新时间： 2024-02-20 23:38:06

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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2N6340 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N6340 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2N6338/6339/6340/6341

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

100

120

140

150

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(SUS)

I_C= 50mA ; I_B= 0

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I_C= 10A; I_B= 1A

I_C= 25A; I_B= 2.5A

I_C= 10A; I_B= 1A

I_C= 25A; I_B= 2.5A

I_C= 10A ; V_CE= 2V

V_CE= 50V; I_B= 0

V_CE= 60V; I_B= 0

V_CE= 70V; I_B= 0

V_CE= 75V; I_B= 0

V_CB= RatedV_CBO; I_E= 0

1.0

1.8

2.5

1.8

V_CE

-1

-2

-1

-2

(sat)

V_CE

V_BE

V_BE(

)

2N6338

2N6339

Collector

I_CEO

μA

Cutoff Current

2N6340

2N6341

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_CBO

I_CEX

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

f_T

μA

V_CE= RatedV_CEO;V_{BE( )}= 1.5V

1.0

μA

off

V_CE= RatedV_CEO;V_{BE( )}= 1.5V,T_C=150℃

off

V_EB= 6V; I_C=0

0.1

I_C= 0.5A ; V_CE= 2V

DC Current Gain

I_C= 10A ; V_CE= 2V

120

DC Current Gain

I_C= 25A ; V_CE= 2V

Current-Gain—Bandwidth Product

Output Capacitance

MHz

I_C= 1A ; V_CE= 10V ;f_test= 10MHz

I_E= 0 ; V_CB= 10V ;f_test= 0.1MHz

C_OB

300

Switching Times

Rise Time

0.3

1.0

μs

t_r

t_stg

t_f

V_CC= 80V; I_C= 10A;I_B1= 1A, V_{BE( )}= 6V

off

Storage Time

Fall Time

V_CC= 80V; I_C= 10A; I_B1= -I_B2= 1A,

0.25

isc Website：www.iscsemi.cn

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