5秒后页面跳转
2N6340 PDF预览

2N6340

更新时间: 2024-01-31 14:19:46
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6340 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:140 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2N6340 数据手册

 浏览型号2N6340的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6340的Datasheet PDF文件第3页 
SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors 2N6338 2N6339 2N6340 2N6341  
CHARACTERISTICS  
Tj=25ꢀ unless otherwise specified  
UNI  
T
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
100  
120  
140  
150  
TYP. MAX  
2N6338  
2N6339  
2N6340  
2N6341  
Collector-emitter  
sustaining voltage  
V(SUS)CEO  
IC=50mA ;IB=0  
V
VCEsat-1  
VCEsat-2  
VBE sat-1  
VBE sat-2  
VBE  
Collector-emitter saturation voltage IC=10A; IB=1.0A  
Collector-emitter saturation voltage IC=25A; IB=2.5A  
1.0  
1.8  
1.8  
2.5  
1.8  
V
V
V
V
V
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter on voltage  
IC=10A; IB=1.0A  
IC=25A; IB=2.5A  
IC=10A ; VCE=2V  
VCE=Rated VCEO; VEB=1.5V  
TC=150ꢀ  
10  
1.0  
µA  
mA  
ICEX  
Collector cut-off current  
ICBO  
Collector cut-off current  
VCB=Rated VCB; IE=0  
VCE= 50V,IB=0  
10  
µA  
µA  
µA  
2N6338  
2N6339  
2N6340  
2N6341  
VCE= 60V,IB=0  
Collector  
cut-off current  
ICEO  
50  
VCE= 70V,IB=0  
VCE= 75V,IB=0  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
hFE-3  
COB  
fT  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
DC current gain  
DC current gain  
Output capacitance  
Transition frequency  
Rise time  
VEB=6V; IC=0  
100  
120  
300  
IC=0.5A ; VCE=2V  
50  
30  
12  
IC=10A ; VCE=2V  
IC=25A ; VCE=2V  
IE=0 ; VCB=10V;f=0.1MHz  
IC=1A ; VCE=10V;f=10MHz  
VCC=80V,IC=10A,IB1=1A ;VBE=1.5V  
pF  
MHz  
µs  
40  
tr  
0.3  
1.0  
ts  
Storage time  
µs  
VCC=80V,IC=10A,IB1=IB2=1A  
tf  
Fall times  
0.25  
µs  
2

与2N6340相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6340A NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 140V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6340X ETC

获取价格

NPN
2N6341 BOCA

获取价格

HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS
2N6341 ONSEMI

获取价格

High-Power NPN Silicon Transistors
2N6341 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N6341 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N6341 ISC

获取价格

isc Silicon NPN Power Transistors
2N6341 NJSEMI

获取价格

SI NPN POWER BJT
2N6341 MICROSEMI

获取价格

NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6341 MOSPEC

获取价格

POWER TRANSISTOR(25A,200W)