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2N6250T1

更新时间： 2024-01-06 23:55:14

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	179K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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2N6250T1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	275 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6250T1 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/510

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6249

2N6250

2N6251

2N6249T1

2N6250T1

2N6251T1

JANTX

JANTXV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

2N6249 2N6250 2N6251

2N6249T1 2N6250T1 2N6251T1

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

200

300

275

375

6.0

350

450

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

I_B

5.0

TO-3 (TO-204AA)

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

6.0

175

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

Operating & Storage Junction Temperature

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NOTES:

T_op, T_stg

R_θJC

-65 to +200

1.0

°C

°C/W

(1) Derate linearly at 34.2 mW/°C for T_A> +25°C

(2) Derate linearly at 1.0 mW/°C for T_C> +25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-254

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 20mAdc; L = 42mH; f = 30 – 60Hz

(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)

2N6249, T1

2N6250, T1

2N6251, T1

200

275

350

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200mAdc; L = 14mH; f = 30 – 60Hz; 2N6249, T1

225

300

375

V_(BR)CER

Vdc

R_BE= 50Ω

2N6250, T1

2N6251, T1

(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)

Emitter-Base Cutoff Current

I_EBO

100

µAdc

_EB= 6.0Vdc

T4-LDS-0197 Rev. 1 (110296)

Page 1 of 5

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2N6250T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N6250T1	MICROSEMI	功能相似	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6250T1	MICROSEMI	功能相似	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JAN2N6250T1	MICROSEMI	功能相似	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6250T1E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
2N6251	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6251	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
2N6251	COMSET	获取价格	HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N6251	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6251	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N6251	MOTOROLA	获取价格	High Voltage NPN Silicon Power Transistors
2N6251	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N6251	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6251	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors

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