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2N6240/D

更新时间： 2024-01-08 15:20:55
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
Silicon Controlled Rectifier

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2N6240/D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.7外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：1 V最大维持电流：5 mA
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N6240/D 数据手册

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by 2N6240/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
. . . PNPN devices designed for high volume consumer applications such as  
temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning  
systems where reliability of operation is important.  
SCRs  
4 AMPERES RMS  
400 VOLTS  
•
•
•
•
Passivated Surface for Reliability and Uniformity  
Power Rated at Economical Prices  
Practical Level Triggering and Holding Characteristics  
Flat, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
G
K
•
Recommended Electrical Replacement for C106  
A
A
CASE 77-08  
(TO-225AA)  
STYLE 2  
G
A
K
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
400  
Unit  
(1)  
*Repetitive Peak Forward and Reverse Blocking Voltage  
(1/2 Sine Wave)  
V
DRM  
or  
Volts  
(R  
= 1000 ohms, T = –40 to +110°C)  
V
RRM  
GK  
*Non–repetitive Peak Reverse Blocking Voltage  
(1/2 Sine Wave, R = 1000 ohms,  
C
V
RSM  
Volts  
Amps  
Amps  
GK  
= –40° to +110°C)  
T
C
450  
*Average On–State Current  
(T = –40 to + 90°C)  
I
T(AV)  
2.6  
1.6  
C
(T = +100°C)  
C
*Surge On–State Current  
I
TSM  
(1/2 Sine Wave, 60 Hz, T = +90°C)  
(1/2 Sine Wave, 1.5 ms, T = +90°C)  
25  
35  
C
C
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing  
(t = 8.3 ms)  
2.6  
*Peak Gate Power  
(Pulse Width = 10 µs, T = 90°C)  
P
GM  
0.5  
Watts  
C
*Indicates JEDEC Registered Data.  
(continued)  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate  
RRM  
DRM  
voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current  
source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
Motorola, Inc. 1999  
1234

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