生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 25 µs |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 40 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.6 V | 最大维持电流: | 50 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D3 | 最大漏电流: | 5 mA |
通态非重复峰值电流: | 350 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大通态电流: | 11000 A |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 35 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA |
断态重复峰值电压: | 400 V | 重复峰值反向电压: | 400 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6174 | NJSEMI | SCR, V(DRM) = 600V TO 699.9V |
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2N6174 | MOTOROLA | Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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2N6178 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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2N6179 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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2N618 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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2N6180 | NJSEMI | P-N-P SILICON POWER TRANSISTOR |
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