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2N6126

更新时间： 2024-01-28 14:57:32

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6126 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	7	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz
VCEsat-Max：	1.4 V	Base Number Matches：	1

2N6126 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6124 2N6125 2N6126

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-45

-60

-80

TYP.

MAX

UNIT

2N6124

2N6125

2N6126

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=-0.1A ;I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BE(on)

Collector-emitter saturation voltage I_C=-1.5A;I_B=-0.15A

Collector-emitter saturation voltage I_C=-4.0A;I_B=-1.0A

-0.6

-1.4

-1.2

Base-emitter on voltage

I_C=-1.5A ; V_CE=-2V

V_CE=-45V;V_BE=1.5V

T_C=125℃

-0.1

-2.0

2N6124

2N6125

2N6126

V_CE=-60V;V_BE=1.5V

T_C=125℃

-0.1

-2.0

I_CEX

Collector cut-off current

V_CE=-80V;V_BE=1.5V

T_C=125℃

-0.1

-2.0

2N6124 V_CE=-45V;I_B=0

2N6125 V_CE=-60V;I_B=0

I_CEO

I_EBO

h_FE-1

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

-1.0

2N6126

V_CE=-80V;I_B=0

V_EB=-5V; I_C=0

-1.0

100

2N6124

2N6125

2N6126

2N6124

2N6125

2N6126

I_C=-1.5A ; V_CE=-2V

h_FE-2

DC current gain

I_C=-4A ; V_CE=-2V

I_C=-1A ; V_CE=-4V

f_T

Transition frequency

2.5

MHz

123

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