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2N6107AS

更新时间： 2024-01-03 05:47:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
60页 371K
描述
7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6107AS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：2.3JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2N6107AS 数据手册

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*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
2N6111, 2N6288  
2N6109  
2N6107, 2N6292  
—
—
—
30  
50  
70  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 20 Vdc, I = 0)  
2N6111, 2N6288  
2N6109  
2N6107, 2N6292  
—
—
—
1.0  
1.0  
1.0  
B
= 40 Vdc, I = 0)  
B
= 60 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 40 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 30 Vdc, V  
= 50 Vdc, V  
= 70 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 150 C)  
= 1.5 Vdc, T = 150 C)  
C
= 1.5 Vdc, T = 150 C)  
2N6111, 2N6288  
2N6109  
2N6107, 2N6292  
2N6111, 2N6288  
2N6109  
—
—
—
—
—
—
100  
100  
100  
2.0  
2.0  
2.0  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
C
mAdc  
mAdc  
2N6107, 2N6292  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
EBO  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 2.0 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
2N6107, 2N6292  
2N6109  
2N6111, 2N6288  
All Devices  
30  
30  
30  
2.3  
150  
150  
150  
—
C
CE  
CE  
CE  
CE  
(I = 2.5 Adc, V  
C
(I = 3.0 Adc, V  
C
(I = 7.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 7.0 Adc, I = 3.0 Adc)  
V
—
3.5  
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
(I = 7.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
—
3.0  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain — Bandwidth Product (2)  
f
T
MHz  
(I = 500 mAdc, V  
= 4.0 Vdc, f  
CE test  
= 1.0 MHz)  
2N6288, 92  
2N6107, 09, 11  
—
—
4.0  
10  
C
Output Capacitance (V  
= 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
—
250  
—
pF  
—
CB  
E
ob  
Small–Signal Current Gain (I = 0.5 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc, f = 50 kHz)  
h
20  
CE  
fe  
* Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
(2) f = |h | • f  
.
T
fe test  
V
+30 V  
CC  
2.0  
1.0  
T = 25°C  
J
25 µs  
R
C
V
= 30 V  
CC  
I /I = 10  
0.7  
0.5  
+11 V  
C B  
SCOPE  
R
B
0.3  
0.2  
0
t
r
D
1
51  
–9.0 V  
0.1  
0.07  
0.05  
–4 V  
t , t ≤ 10 ns  
r f  
DUTY CYCLE = 1.0%  
t @ V  
≈ 5.0 V  
d
BE(off)  
R and R ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
B
C
0.03  
0.02  
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:  
1N5825 USED ABOVE I ≈ 100 mA  
0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0  
B
MSD6100 USED BELOW I ≈ 100 mA  
B
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
3–102  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...60

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