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2N6078

更新时间: 2024-01-19 14:34:37
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 295K
描述
High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor

2N6078 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-66
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.1外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):12
JEDEC-95代码:TO-213AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

2N6078 数据手册

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