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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 130 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRPM-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最小功率增益 (Gp)： | 5.7 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6084 | STMICROELECTRONICS | TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,6A I(C),STX-8 |
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| 2N6084 | MICROSEMI | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS |
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| 2N6084 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 18V 6A 4-Pin Style M135 |
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| 2N6085 | ETC | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N6086 | ETC | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N6087 | ETC | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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