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2N6076

更新时间： 2024-02-15 10:35:20

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2N6076 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	13 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2N6076 数据手册

DISCRETE POWER & SIGNAL

TECHNOLOGIES

2N6076

SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BVCEO . . . . 25 V (Min)

0.135 - 0.145

(3.429 - 3.683)

hFE . . . . 100 (Min) @ VCE = 10 V, IC = 10 mA

0.175 - 0.185

(4.450 - 4.700)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)

TEMPERATURES

LOGOXYY

0.175 - 0.185

(4.450 - 4.700)

Storage Temperature

-55 Degrees C to 150 Degrees C

150 Degrees C

Operating Junction Temperature

6076

SEATING

PLANE

POWER DISSIPATION (NOTES 2 & 3)

Total Device Dissipation at TA = 25 Deg C

625 mW

0.500

VOLTAGES & CURRENT

_(12.70)MIN

VCEO

VCBO

VEBO

Collector to Emitter

Collector to Base

Emitter to Base

25 V

5 V

0.016 - 0.021

(0.410- 0.533)

Collector Current

500 mA

0.045 - 0.055

(1.143- 1.397)

0.095 - 0.105

(2.413 - 2.667)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25 Degrees C Ambient Temperature unless otherwise stated)

SYM

CHARACTERISTICS

MIN MAX UNITS

TEST CONDITIONS

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Cutoff Current

IC =

100 uA

10 mA

10 uA

IC =

IE =

100

VCB = 25 V

VCB = 25 V , T=+100°C

VCE = 25 V

ICES

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

100

500

0.25

0.8

IEBO

VEB = 3.0 V

hFE

DC Current Gain

100

0.5

VCE = 10 V

IC = 10 mA

VCE(sat)

VBE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

IC = 10mA IB = 1.0mA

VBE(on)

Base -Emitter On Voltage

1.2

VCE = 10 V IC = 10mA

2n6076.ppt6894 revA

ã 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

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