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2N6078

更新时间： 2024-02-11 06:52:43

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6078 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N6078 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6077 2N6078 2N6079

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Low collector saturation voltage

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For horizontal deflection output stages

of TV’s and CRT’s

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

300

275

375

275

250

350

UNIT

2N6077

2N6078

2N6079

2N6077

2N6078

2N6079

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25ꢀ

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

ꢀ

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

4.28

ꢀ/W

12 3

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与2N6078相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6078AT	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 250V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66	获取价格
2N6078E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 250V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N6079	NJSEMI	High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor	获取价格
2N6079	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6079	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6079	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格