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2N6076D27Z

更新时间： 2024-01-25 21:10:20

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	289K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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2N6076D27Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6076D27Z 数据手册

DISCRETE POWER & SIGNAL

TECHNOLOGIES

2N6076

SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BVCEO . . . . 25 V (Min)

0.135 - 0.145

(3.429 - 3.683)

hFE . . . . 100 (Min) @ VCE = 10 V, IC = 10 mA

0.175 - 0.185

(4.450 - 4.700)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)

TEMPERATURES

LOGOXYY

0.175 - 0.185

(4.450 - 4.700)

Storage Temperature

-55 Degrees C to 150 Degrees C

150 Degrees C

Operating Junction Temperature

6076

SEATING

PLANE

POWER DISSIPATION (NOTES 2 & 3)

Total Device Dissipation at TA = 25 Deg C

625 mW

0.500

VOLTAGES & CURRENT

_(12.70)MIN

VCEO

VCBO

VEBO

Collector to Emitter

Collector to Base

Emitter to Base

25 V

5 V

0.016 - 0.021

(0.410- 0.533)

Collector Current

500 mA

0.045 - 0.055

(1.143- 1.397)

0.095 - 0.105

(2.413 - 2.667)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25 Degrees C Ambient Temperature unless otherwise stated)

SYM

CHARACTERISTICS

MIN MAX UNITS

TEST CONDITIONS

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Cutoff Current

IC =

100 uA

10 mA

10 uA

IC =

IE =

100

VCB = 25 V

VCB = 25 V , T=+100°C

VCE = 25 V

ICES

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

100

500

0.25

0.8

IEBO

VEB = 3.0 V

hFE

DC Current Gain

100

0.5

VCE = 10 V

IC = 10 mA

VCE(sat)

VBE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

IC = 10mA IB = 1.0mA

VBE(on)

Base -Emitter On Voltage

1.2

VCE = 10 V IC = 10mA

2n6076.ppt6894 revA

ã 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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