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2N5883/D

更新时间： 2024-02-26 23:09:23

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
Complementary Silicon High-Power Transistors

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2N5883/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.72
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N5883/D 数据手册

2N5883 2N5884 2N5885 2N5886

PACKAGE DIMENSIONS

CASE 1–07

TO–204AA (TO–3)

ISSUE Z

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH

REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.

SEATING

PLANE

–T–

D 2 PL

INCHES

DIM MIN MAX

1.550 REF

MILLIMETERS

0.13 (0.005)

MIN

MAX

39.37 REF

---

0.250

0.038

0.055

1.050

---

6.35

0.97

1.40

26.67

8.51

1.09

1.77

–Y–

0.335

0.043

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440 0.480

0.665 BSC

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18

12.19

16.89 BSC

---

0.151

0.830

0.165

---

3.84

21.08

4.19

–Q–

0.13 (0.005)

1.187 BSC

30.15 BSC

0.131

0.188

3.33

4.77

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2. EMITTER

CASE: COLLECTOR

http://onsemi.com

1...3 4 567 8

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与2N5883/D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N5883LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N5884	NJSEMI	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON	获取价格
2N5884	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5884	ASI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P	获取价格