Datasheet > 2N5883/D

2N5883/D

更新时间： 2024-02-19 10:30:15

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
Complementary Silicon High-Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5883/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.72
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N5883/D 数据手册

2N5883 2N5884 2N5885 2N5886

-ā30 V

TURN–ON TIME

3.0

+ā2.0 V

TO SCOPE

t ≤ 20 ns

2.0

1.0

T = 25°C

I /I = 10

-11ĂV

10 to 100 µs

t ≤

20Ăns

C B

= 30 V

BE(off)

0.7

0.5

= 2 V

DUTY CYCLE ≈ 2.0%

-ā30 V

3.0

0.3

0.2

TURN–OFF TIME

2N5883, 2N5884 (PNP)

2N5885, 2N5886 (NPN)

+9.0ĂV

0.1

TO SCOPE

0.07

0.05

t ≤ 20 ns

-11ĂV

t ≤ 20Ăns

0.03

0.02

+ā7.0 V

10 to 100 µs

DUTY CYCLE ≈ 2.0%

FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, R & R ARE VARIED.

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

I , COLLECTOR CURRENT (AMPERES)

Figure 3. Turn–On Time

INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.

FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.

Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits

http://onsemi.com

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与2N5883/D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5883E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5883G	ONSEMI	Complementary Silicon High−Power Transistors	获取价格
2N5883LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N5884	NJSEMI	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON	获取价格
2N5884	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5884	ASI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P	获取价格